Простое вещество и элемент кремнийПериодическая система / Кремний / Простое вещество и элемент кремнийСтраница 2
Есть и другие реакции, в которых получают высокочистый полупроводниковый кремний. Это восстановление водородом трихлорсилана SiHCl3 или четыреххлористого кремния SiCl4 и термическое разложения моносилана, гидрида кремния SiH4 или тетраиодида SiI4. В последнем случае разложение соединения происходит на разогретой до 1000°С танталовой ленте. Дополнительная очистка зонной плавкой следует после каждой из этих реакций.
Смотрите также
Моделирование процессов разряда-ионизации серебра на поверхности твердого электрода
...
Технологические иследования процесса массопереноса - диффузии
С процессом массопереноса - диффузией приходится сталкиваться
постоянно в явной или неявной форме в своей повседневной жизни, практической
деятельности, научных и технологических исследовани ...
Методы извлечения и очистки родия
Извлечение родия
и очистка его от неблагородных и благородных примесей связана с исключительно
сложными, длительными и трудоемкими операциями. Это неизбежно: родий относится
к числу наиболе ...