Простое вещество и элемент кремнийПериодическая система / Кремний / Простое вещество и элемент кремнийСтраница 2
Есть и другие реакции, в которых получают высокочистый полупроводниковый кремний. Это восстановление водородом трихлорсилана SiHCl3 или четыреххлористого кремния SiCl4 и термическое разложения моносилана, гидрида кремния SiH4 или тетраиодида SiI4. В последнем случае разложение соединения происходит на разогретой до 1000°С танталовой ленте. Дополнительная очистка зонной плавкой следует после каждой из этих реакций.
Смотрите также
Металлы. Свойства металлов
...
Механизм формирования вторичных месторождений меди и цинка
В
месторождениях рудных полезных ископаемых сосредоточена ничтожная часть общего
запаса элементов, большая часть элементов рассеяна в земной коре. Следовательно,
для образования месторожден ...
Пенообразование в растворах поверхностно-активных веществ
Пены — это дисперсии газа в жидкости или в твердой фазе.
Пенообразование определяется соотношением объемов газа и жидкости, которое
называется кратностью пены. В низкократных пенах газовые п ...