Основные положения теории дефектов в ионных кристаллах
Материалы / Исследование твердых электролитов / Основные положения теории дефектов в ионных кристаллах
Страница 2

Однако необходимо подчеркнуть, что в большинстве случаев концентрация точечных дефектов даже при очень высоких температурах не превышает предельного значения. Это имеет место в случае галидов, сульфидов, оксидов металлов основных групп периодической системы, а также применимо к значительному количеству оксидов переходных металлов. Потому теория точечных дефектов является важной и постоянно развивающейся основой интерпретации экспериментальных результатов при изучении многих физнко-химических свойств твердых тел. В первом приближении можно ограничиться случаем невзаимодействующих дефектов, а затем учесть дальнодействуюшее кулоновское взаимодействие.

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Синтез этилового спирта
Задание к курсовой работе Произвести технологический расчёт процесса производства синтетического этилового спирта. Данные производительность – 12 тонн в час; состав этиленово ...

Сера (Sulfur) S
 Сера известна человеку со времен глубокой древности. Легендарный древнегреческий поэт Гомер, живший между XII и VIII вв. до нашей эры, автор эпических поэм "Иллиада" и "Одиссея&qu ...

Предмет аналитической химии. История и применение
...