Основные положения теории дефектов в ионных кристаллахМатериалы / Исследование твердых электролитов / Основные положения теории дефектов в ионных кристаллахСтраница 2
Однако необходимо подчеркнуть, что в большинстве случаев концентрация точечных дефектов даже при очень высоких температурах не превышает предельного значения. Это имеет место в случае галидов, сульфидов, оксидов металлов основных групп периодической системы, а также применимо к значительному количеству оксидов переходных металлов. Потому теория точечных дефектов является важной и постоянно развивающейся основой интерпретации экспериментальных результатов при изучении многих физнко-химических свойств твердых тел. В первом приближении можно ограничиться случаем невзаимодействующих дефектов, а затем учесть дальнодействуюшее кулоновское взаимодействие.
Смотрите также
Синтез этилового спирта
Задание к курсовой
работе
Произвести технологический расчёт процесса
производства синтетического этилового спирта.
Данные
производительность – 12 тонн в час;
состав этиленово ...
Сера (Sulfur) S
Сера известна человеку со времен глубокой древности. Легендарный древнегреческий поэт Гомер, живший между XII и VIII вв. до нашей эры, автор эпических поэм "Иллиада" и "Одиссея&qu ...