Основные положения теории дефектов в ионных кристаллах
Материалы / Исследование твердых электролитов / Основные положения теории дефектов в ионных кристаллах
Страница 2

Однако необходимо подчеркнуть, что в большинстве случаев концентрация точечных дефектов даже при очень высоких температурах не превышает предельного значения. Это имеет место в случае галидов, сульфидов, оксидов металлов основных групп периодической системы, а также применимо к значительному количеству оксидов переходных металлов. Потому теория точечных дефектов является важной и постоянно развивающейся основой интерпретации экспериментальных результатов при изучении многих физнко-химических свойств твердых тел. В первом приближении можно ограничиться случаем невзаимодействующих дефектов, а затем учесть дальнодействуюшее кулоновское взаимодействие.

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Туннельный эффект в химии, физике
Данный реферат содержит текста 12 страниц, рисунков 12, таблиц 1, список использованной литературы 36 названий. Ключевые слова: туннельный эффект, туннельный диод, сканирующий микрос ...

Теория химического строения органических соединений. Электронная природа химических связей. Предпосылки теории строения. Теория химического строения. Изомерия
...

Бром (Bromum), Br
Бром -  химический элемент VII группы периодической системы Менделеева, относится к галогенам; атомный номер 35, атомная масса 79,904; красно-бурая жидкость с сильным неприятным запахом. Б. откры ...