Основные положения теории дефектов в ионных кристаллахМатериалы / Исследование твердых электролитов / Основные положения теории дефектов в ионных кристаллахСтраница 2
Однако необходимо подчеркнуть, что в большинстве случаев концентрация точечных дефектов даже при очень высоких температурах не превышает предельного значения. Это имеет место в случае галидов, сульфидов, оксидов металлов основных групп периодической системы, а также применимо к значительному количеству оксидов переходных металлов. Потому теория точечных дефектов является важной и постоянно развивающейся основой интерпретации экспериментальных результатов при изучении многих физнко-химических свойств твердых тел. В первом приближении можно ограничиться случаем невзаимодействующих дефектов, а затем учесть дальнодействуюшее кулоновское взаимодействие.
Смотрите также
Теория молекулярных орбиталей в комплексных соединениях
Наиболее
общий подход к рассмотрению электронной структуры комплексов связан с
расчетами полных волновых функций комплекса как единого целого, а не только
центрального иона п ...
Рентгенофлуоресцентное определение редких элементов Sr, Rb, Nb в литий-фтористых редкометальных гранитах
Научный и практический интерес к литий-фтористым редкометальным
гранитам обусловлен уникальностью их химического и минерального состава, а
также экстремальными (вплоть до рудных) концентраци ...
Совершенствование технологии получения технического ПАН жгутика
Полиакрилонитрильные
волокна и нити в настоящее время представляют наиболее распространенный вид
промышленно освоенных карбоцепных синтетических волокон. Это связано со
специфически ценными ...
