СТМ представляет собой устройство для исследования поверхностей твёрдых электропроводящих тел, в основе работы которого лежит эффект туннелирования. Суть этого эффекта состоит в том, что если между
Статьи / Туннельный эффект в химии, физике / СТМ представляет собой устройство для исследования поверхностей твёрдых электропроводящих тел, в основе работы которого лежит эффект туннелирования. Суть этого эффекта состоит в том, что если между
Страница 2

контраста (ТТК) в ПЛ термич. оксида кремния нанометровых толщин на ПВ (111) и (001) монокристаллов кремния. Исследована методичная возможность изучения супрамолек. систем in situ с применением СТМ-АСМ "СКАН-8", получены изображения высокого разрешения структуры [19], [20], [21], [22], [23] Приведены результаты электрических и магнитных свойств порошкообразных образцов двойного перовскита Sг2ЕеМоО6, полученных методом твердофазной реакции. [24] Нанолитографией, основанной на сверхвысоковакуумной СТМ и скомбинированной с осаждением паров Со при комнатной температуре с последующим отжигом, изготовлены металлические линии Со/Si нанометровой ширины на пассивированных водородом ПВ Si(100).[25] Исследованы топография ПB аморфного гидрир. углерода α-С:Н и локальную дифференциальную проводимость и измерена величина работы выхода с использованием стандартных методик, применяемых в СТМ [26] Исследованы процессы, происходящие при облучении УФ-светом (λ-300 нм) смешанных ленгмюровских монослоев стеариновой кислоты и пентакарбонида железа [27] Блок-схема СТМ, представлена ( рис. 2.3.3.)

Новые возможности рассматриваемого направления в сравнении с традиционными методами исследования поверхности делают особенно перспективным применение зондовой микроскопии (в частности атомно-силовой микроскопии (АСМ). Несмотря на возможность достижения высокого пространственного разрешения, информация, получаемая методами АСМ, может неадекватно отображать реальные особенности поверхности, что является следствием влияния инструмента исследования на объект и приводит к наблюдению артефактов. Эти артефакты, как правило, легко учитываются на качественном уровне при интерпретации АСМ-результатов, однако специфика ряда задач может потребовать количественных оценок и методов восстановления реальной геометрии объектов. Проанализированы два основных артефакта АСМ, влияние которых существенно при проведении исследований отдельных микрообъектов, адсорбированных на поверхность твердой подложки: эффекта уширения профиля и эффекта занижения высот АСМ-изображения объектов исследования. Построены количественные методики учета влияния рассматриваемых эффектов на результаты исследования АСМ. [28]

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Межмолекулярные взаимодействия
...

М.В.Ломоносов
Михаил Васильевич Ломоносов – русский ученый-энциклопедист. (1711-1765)            Сын крестьянина-помора, выходец из глухой деревушки Архангельской губернии, Ломоносов с огром ...

Теория молекулярных орбиталей в комплексных соединениях
            Наиболее общий подход к рассмот­рению электронной структуры компле­ксов связан с расчетами полных волно­вых функций комплекса как единого целого, а не только центрального иона п ...