Сделан вывод, что аддитивное окрашивание кристаллов AgtRbJs при нормальных условиях возможно при высокой подвижности ионов серебра. Обнаружено, что аддитивное окрашивание приводит к изменению электронной составляющей проводимости.

Методами потенциодинамической вольтамперометрии и импеданса изучено электрохимическое поведение йода и его комплексов с фенотиазином на границе с суперионными проводниками. Рассчитаны кинетические параметры. Показано, что гетеропереход описывается, эквивалентной схемой, включающей наряду с емкостью двойного слоя две параллельные релаксационные цепочки. Одна из них связана с ионами рубидия и состоит из адсорбционной емкости (С2) и диффузионного импеданса Варбурга (ZW2), вторая - связанная с центрами окраски, состоит из адсорбционного сопротивления (R3), С3 и ZW3 – Гетеропереходы с поликристаллическим супериоником описываются схемой, в которой вторая цепочка содержит R3 и ZW3.

Исследованы гетеропереходы гpaфит/Ag4Rbт5 и cepe6po/Ag4RbJ5 на монокристаллах. Получены температурные зависимости параметров эквивалентных схем гетеропереходов RF) С, С2, R2, W2. Вычислены энергии активации для RF, и для W2. Обнаружено, что параметры i эквивалентной схемы гетероперехода зависят от ориентации монокристалла, т.е. от плотности упаковки граней. На основании результатов по диффузии ионов иода и определения постоянной Варбурга W2, показано, что не основными носителями в модели АРДС выступают ионы рубидия, влияющие на перераспределение ионных и электронных носителей заряда на границе электрод/электролит. Обнаружена корреляция между термодинамической стабильностью суперионного проводника и энергией активации сопротивления - переноса заряда основных носителей RF и диффузией не основных носителей, определяемых из импедансных измерений.

Определена корреляция между структурными фазовыми переходами, оптическими характеристиками и спектрами проводимости, полученными в субмиллиметровом диапазоне.

Разработан измерительный комплекс с компьютерным управлением для снятия различных вариантов вольтамперометрических зависимостей. Предложен алгоритм моделирования эквивалентных схем, описывающий гетеропереходы и определяющий их числовые значения.

Ю. Созданы макетные образцы сенсора на йод и сверхъемкого конденсатора. Сенсор работоспособен в газовой среде с концентрацией иода 10~ .1 о Ми100% -ной влажностью в интервале температур; 320 .390К. Доза облучения до 400 кГр. Сверхъемкий конденсатов ионистор с основными характеристиками емкость до 100 Ф; ток саморазряда при 398К < 10 нА, при 298К < 10 пА; количество циклов заряд-разряд > 150000.

Все вышеизложенное позволяет считать совокупность проведенных исследований новым научным направлением, заключающимся в установлении взаимосвязи структурных, оптических и электрохимических характеристик униполярных суперионных монокристаллов класса a-AgJ с проводимостью по ионам серебра, предопределяющей возникновение суперионного состояния твердых тел.