Согласно Штерну, первый слой (или несколько слоев) противоионов притягиваются к стенке под действием электростатических и адсорбционных сил. Часть противоионов удерживается поверхностью на расстоянии 1-2 молекулы, образуя конденсатор толщиной d(т. Гельмгольца). В этом слое резкое падение потенциала (его называют штерновским или гельмольцевским или адсорбционным слоем). Остальные противоионы, нужные для компенсации потенциалопределяющих ионов из-за теплового движения образуют диффузную часть ДЭС (т. Гуи). Эту часть ДЭС называют слоем Гуи или диффузионным слоем (рис). Падение потенциала jоскладывается из падения потенциала jdв диффузной части и разности jоjdмежду обкладками конденсатора. Место границы скольжения до сих пор неясно. Иногда полагают, что АВ проходит между слоем Штерна и Гуи. В общем случае, x£jd.

При введении электролитов будет сжиматься диффузная часть ДЭС, который будет приближаться к ДЭС Гельмгольца, а x®. С разбавлением раствора диффузная часть ДЭС расширяется и xувеличивается.

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ x. Непосредственно xизмерить нельзя.

Электрофоретические методы основаны на определении скорости электрофоретического перемещения частиц в системе при известных градиенте потенциала эл поля, вязкости и диэлектрической проницаемости дисп среды.

Метод подвижной границы основан на наблюдении за перемещением во внеш поле границы между обычно окрашенным или мутным золем и прозрачной бесцветной боковой жидкостью (работа № 3).

Микроскопический метод заключается в определении скорости индивидуальных частиц при помощи микроскопа или ультрамикроскопа. Недостаток в том, что можно исследовать только разбавленные системы. В концентрированных наблюдать за перемещением отд частицы невозможно. Если концентрированную систему разбавить чужеродной жидкостью, то это изменит xпотенциал.

Электроосмотические методы основаны либо на определении объема перенесенной через капилляр жидкости за единицу времени, либо на определении электроосмотического давления.

Значения x, найденные различными методами хорошо согласуются, следовательно, xявляется однозначной характеристикой ДЭС и электрических свойств данной границы раздела.

Ошибки вычисления xсвязаны с тем, что в области ДЭС могут изменяться e,h,cпо сравнению с объемной фазой. Например, в водном растворе e=81, а в плотно упакованном слое измерения и расчеты Фрумкина дают величину e=3. Кроме того, в подвижной части ДЭС концентрация ионов больше, чем в объеме раствора. За счет этого возникает добавочная электропроводность cS, обусловленная поверхностным избытком ионов, которую называют поверхностной проводимостью. cS+cv/cv=a; x=axo.

=4phu/(eH) 3002, формула Гельмгольца-Смолуховского, где h- вязкость дисп среды; u– скорость электрофореза или электроосмоса, u=h/t- путь, пройденный границей (частицей) за время t; H=Е /L, Eприложенная извне разность потенциалов; Lрасстояние; H=I/cS, где Iсила тока; c- удельная электропроводность; Sплощадь сечения; eдиэлектрическая проницаемость среды; 3002 –коэффициент пересчета в систему СИ.

СТРОЕНИЕ МИЦЕЛЛЫ (работа 1 и 3).