Устройство насадочного абсорбера
Новости химии / Абсорбционная установка непрерывного действия для поглощения аммиака / Устройство насадочного абсорбера
Страница 2

Применяют также открытые сита (рис. 3, б), представляющие собой дырчатые металлические листы, на которых слой жидкости удерживается за счет гидростатического давления.

Такое устройство позволяет изменять количество орошающей жидкости в очень широких пределах. При подаче большого количества жидкости ее уровень поднимается до тех пор, пока не наступит равновесие между количествами поступающей жидкости и жидкости, стекающей через отверстия. Высота краев должна быть такой, чтобы при заданномVмакс жидкость не переливалась через край, а при Vмин сито было бы еще покрыто некоторым слоем жидкости. Между кожухом и краем сита должно быть предусмотрено сечение, достаточное для прохода газа. Такие сита пригодны для аппаратов небольших диаметров.

Изменять расход жидкости можно с помощью оросителя, изображенного на рис. (3, в).

Рис. 10. В. Оросительные устройства: а – брызгалка; открытое сито; распределительная тарелка с трубками

Вместо дырчатого листа берется тарелка с короткими косо срезанными трубками одинаковой, высоты. Жидкость переливается по стенкам трубок, а газ проходит через свободное сечение трубок. Такие оросители достигают диаметра 3 м. Для больших диаметров рекомендуют дисковые разбрызгиватели, форсунки, перфорированные трубы и т.д. [6.с. 333–336]

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Хроматографический анализ различных классов веществ
Выбор конкретных условий проведения хроматографического анализа определяется тремя основными факторами: составом анализируемой смеси; поставленной аналитической задачей и имеющейся аппарату ...

Галлий (Gallium), Ga
Галлий - химический элемент III группы периодической системы Д. И. Менделеева, порядковый номер 31, атомная масса 69,72; серебристо-белый мягкий металл. Состоит из двух стабильных изотопов с массовыми ...

Теория молекулярных орбиталей в комплексных соединениях
            Наиболее общий подход к рассмот­рению электронной структуры компле­ксов связан с расчетами полных волно­вых функций комплекса как единого целого, а не только центрального иона п ...