Главной целью данной работы является анализ путей образования электронных дефектов в низкотемпературных электролитах, исследование участия этих дефектов в возникновении электродных потенциалов и электродных процессах, а также обоснование обобщенного подхода к механизму и кинетике электродных реакций в электронной и ионной подсистемах с учетом состояния приэлектродных зон в этих электролитах.

Поставленная цель достигается решением следующих задач:

• Проведение анализа путей образования электронных дефектов в электролитах и оценка их концентрации;

• Оценка величины электронной проводимости медьпроводящих электролитов;

• Исследование кинетики электрохимического разложения электролита CU4R.DCI3I2;

• Установление закономерностей электродных реакций на индифферентном электроде в электролите СиД;

• Исследование кинетики электрохимического осаждения – растворения металла на обратимых металлических электродах;

• Установление закономерностей анодного растворения амальгамы серебра в электролит Ag4RbT5;

• Проведение компьютерного моделирования процесса электрохимического растворения распределенного металлического электрода;

• Разработка методики выращивания из растворов монокристаллов медьпроводящих твердых электролитов.

Место выполнения работы и ее связь с научными программами и темами. Диссертационная работа выполнялась в Ульяновском отделении Института радиотехники и электроники РАН и Саратовском государственном техническом университете.

Работы, результаты которых включены в диссертационную работу, выполнялись в соответствии с Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР №55–25 от 17.01.72 г., Постановлениями СМ РСФСР №630 от 28.11.75 г.и №610 от 12.11.76 г., Координационными планами научного совета АН СССР «Электрохимия, электрохимические источники тока» и «Физическая химия ионных расплавов и твердых электролитов», а также на хоздоговорной основе с Институтом высокотемпературной электрохимии Уральского отделения АН СССР, Институтом кристаллографии АН СССР, НПО «Квант» (г. Москва), НИИ химических источников тока (г. Саратов).