Индивидуальное задание
Статьи / Строение и свойства вещества / Индивидуальное задание
Страница 2

Примесь Zn: s p

; n=4 ­¯

В возбуждённом состоянии у цинка два неспаренных (s- np-) электрона. В узлах кристаллической решётки полупроводника, где находятся атомы цинка, наблюдается дефицит одного электрона при образовании ковалентных связей с бором. При возбуждении кристалла атом цинка захватывает недостающий электрон с соседней ковалентной связи, приобретая избыточный отрицательный заряд (–). В месте захваченного электрона образуется вакансия (+) дырка, обеспечивающая проводимость р-типа. Примесные атомы Zn являются акцепторами электронов.

Примесь Sbт: s p d

; n=5 ­¯ ­­­

На внешнем энергетическом уровне находятся 5 электронов. Три из них образуют ковалентные связи с атомами бора в кристалле; при возбуждении кристалла два Sb-электрона могут перейти в зону проводимости, обеспечив электронную проводимость n-типа. Атомы сурьмы являются донорами. Число электронов, увеличивающих электронную проводимость, возрастают с увеличением температуры:

, где А – предэксионциальный множитель,

DЕ – ширина запрещённой зоны, k – постоянная Больцмана;

Т – температура в шкале Кельвина.

Примеси, изменяющие концентрацию носителей тока в полупроводнике, должны быть строго дозированы.

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Технологический процесс получения водно-дисперсионных красок для внутренних работ
...

Разработка методов синтеза SnF2
Основной путь получения SnF2 – взаимодействие SnO и фтористоводородной кислоты [5] с последующим выпариванием и сушкой. Специфика технологии олова и его соединений такова, что первичным продуктом пе ...

Создание безотходной технологии в производстве кальцинированной соды
В настоящее время трудно себе представить какую-нибудь отрасль какой-либо страны, где бы не применялась сода или продукты из неё. Крупнейшими потребителями соды являются такие отрасли, как ...