Моделирование процесса кислотного травления цинка в присутствии ингибиторовПериодическая система / Моделирование процесса кислотного травления цинка в присутствии ингибиторовСтраница 2
где h - глубина травления металла; V0 -скорость травления без ингибитора; C - концентрация ингибитора; b - константа равновесия десорбции ингибитора; k - константа скорости адсорбции ингибитора. Константы b и k находились расчетным путем согласно [3].
Полученное уравнение может служить ориентиром для оптимизации состава раствора и в некоторой мере позволяет управлять процессом размерного травления металла.
Смотрите также
Введение
Развитие современного
машиностроения невозможно без решения многих проблем в области полимерного
материаловедения, играющих роль в обеспечении надежности и долговечности машин
и механизмов, приборо ...
Лантаноиды
Лантаноиды (от лантан и греч. еidos - образ, вид), лантаниды, семейство из 14 химических элементов с атомным номером от 58 до 71, расположенных в 6-м периоде системы Менделеева вслед за лантаном (табл ...