Моделирование процесса кислотного травления цинка в присутствии ингибиторовПериодическая система / Моделирование процесса кислотного травления цинка в присутствии ингибиторовСтраница 2
где h - глубина травления металла; V0 -скорость травления без ингибитора; C - концентрация ингибитора; b - константа равновесия десорбции ингибитора; k - константа скорости адсорбции ингибитора. Константы b и k находились расчетным путем согласно [3].
Полученное уравнение может служить ориентиром для оптимизации состава раствора и в некоторой мере позволяет управлять процессом размерного травления металла.
Смотрите также
Термодинамико-топологический анализ
...
Барий (Baryum), Ba
Защитные стенки рентгеновских установок медицинского и научного назначения делают из кирпича, содержащего соединения бария. Прекрасный поглотитель рентгеновских лучей - барий применяется исключительно ...
Твердофазные потенциометические сенсоры, селективные к ванадий и вольфрамсодержащим ионам
...